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IMBG65R260M1HXTMA1
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碳化硅MOSFET, 单, N沟道, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-
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IMBG65R083M1HXTMA1
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碳化硅MOSFET, 单, N沟道, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, T
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IPP015N04N G
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 120 A, 0.0012 o
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IPP040N06N3GXKSA1
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 90 A, 0.0033 oh
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IPB081N06L3GATMA1
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 50 A, 0.0067 oh
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IR2117PBF
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功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出,
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IRLML2402TRPBF
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 1.2 A, 0.25 ohm
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IRFU024NPBF
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 17 A, 0.075 ohm
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IRFP3710PBF
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 57 A, 0.025 oh
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IRFP4332PBF
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 250 V, 57 A, 0.029 oh
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