原力达原装Toshiba射频半导体TC35661SBG-007(EL)
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| 1SS314,H3F | Toshiba | PIN 二极管 VHF Tuner 1.2pF 0.5 Ohm 30VR |
| 1SS314TPH3F | Toshiba | PIN 二极管 VHF Tuner Switch 30V Vr 100mA IF |
| 1SS364T5LFT | Toshiba | PIN 二极管 DUAL PIN DIODE |
| 1SS381TL3FT | Toshiba | PIN 二极管 PIN DIODE |
| 1SV172TE85LF | Toshiba | PIN 二极管 x34 DUAL PIN DIODE |
| 1SV307(TPH3,F) | Toshiba | PIN 二极管 RF Diode 39V 1Vf 0.3pF 1.1Ohm Switch |
| 1SV308TH3FT | Toshiba | PIN 二极管 VARICAP DIODE |
| 2SC2714-O(TE85L,F) | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW |
| 2SC5066-Y(T5L,F,T) | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Device VHF/UHF 12V 100mW 12dB 7GHz |
| 2SC5086-Y(T5L,F,T) | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Device VHF/UHF 12V 100mW 11dB 7GHz |
| 2SC5087-O(TE85L,F) | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Device VHF/UHF 13V 150mW 13dB 7GHz |
| 2SC5087R(TE85L,F) | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB |
| 2SC5108-Y(T5L,F,T) | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Device VHF/UHF 10V,100mW 11dB 6GHz |
| 2SJ168TE85LF | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 P-Ch Sm Sig FET Id -0.2A -60V 20V |
| 2SK2009TE85LF | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V |
| 2SK3074TE12LF | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS |
| 2SK3075(TE12L,Q) | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS |
| 2SK3078A(TE12L,F) | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS |
| 2SK3079ATE12LQ | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS |
| 2SK3475TE12LF | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS |
| 2SK3476(TE12L,Q) | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS |
| 2SK3756(TE12L,F) | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS |
| 2SK4037(TE12L,Q) | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS |
| 3SK291(TE85L,F) | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V |
| 3SK292(TE85R,F) | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1 |
| 3SK293(TE85L,F) | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V |
| 3SK294(TE85L,F) | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1 |
| JDP2S02ACT(TPL3) | Toshiba | PIN 二极管 Radio-Freq SGL 30V 0.3pF 1 Ohm |
| JDP2S02AFS(TPL3) | Toshiba | PIN 二极管 Radio-Freq SGL 30V 0.3pF 1 Ohm |
| JDP2S08SC(TPL3) | Toshiba | PIN 二极管 Radio-Freq SGL 30V 0.21pF 1 Ohm |
| JDP2S12CR(TE85L,Q | Toshiba | PIN 二极管 Radio-Freq SGL 180V 1.0pF 0.4 Ohm |
| MT3S16U(TE85L,F) | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF 50mW 5.5dB 10V USM 60mA 2GHz |
| MT3S20TU(TE85L) | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V |
| RFM00U7U(TE85L,F) | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V |
| RFM01U7P(TE12L,F) | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 3W 20V |
| RFM03U3CT(TE12L) | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2.5A 7W 16V |
| RFM04U6P(TE12L,F) | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16V |
| RFM08U9X(TE12L,Q) | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 5A 20W 36V |
| RFM12U7X(TE12L,Q) | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V |
| TC32306FTG(EL) | Toshiba | 射频收发器 射频收发器 UHF 2.0 to 3.3V -116dBm |
| TC35661SBG-007(EL) | Toshiba | 射频收发器 RFCMOS Bluetooth 4.0 HCI -91dB 52MHz |
| TC35661SBG-203(EL) | Toshiba | 射频收发器 RFCMOS Bluetooth 4.0 SPP -91dB 52MHz |
| TC35661SBG-501(EL) | Toshiba | 射频收发器 RFCMOS Bluetooth 4.0 SPP BLE -91dB 52MHz |
