FET - 单全新进口Diodes DMP1022UFDE-7 • DMP1022UFDF-7 • DMP1022UFDF-13
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MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6 DMP1022UFDF-7 MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6 MOSFET P 通道，金属氧化物 标准 2910 - 立即发货
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MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN DMP2021UFDF-7 MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN MOSFET P 通道，金属氧化物 标准 2915 - 立即发货
DMP2021UFDF-7 产品页链接FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.5A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 15.3 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 800mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 48.3nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 2712pF @ 10V
功率 - 值 730mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 6-UDFN2020（2x2）
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