ON Semiconductor AEC-Q101用于48V汽车级系统的MOSFET解决方案
ON Semiconductor 的 MOSFET 解决方案用于 48 V 汽车级系统，具有低 RDS(ON)
ON Semiconductor 的汽车级 MOSFET 提供了多种封装选择，包括 TO 无引线和 DPAK 封装。该器件具有高功率密度并减少了传导损耗，为用户提供了一种紧凑、高效的解决方案。
80 V 汽车级 MOSFET：
ON Semiconductor 的 80 V 汽车级 MOSFET 系列功率密度高、性能稳健，可满足 48 V 系统对尺寸和能效的要求。先进的硅晶与封装技术相结合，实现了极低的 RDS(ON)、更优的品质因数 (FOM) 和更低的功率耗散，以满足不断发展的效率标准要求。ON Semiconductor 的 PowerTrench® MOSFET 采用了屏蔽式栅极技术，无需外部缓冲器即可达到极低的开关损耗。
100 V 汽车级 MOSFET：
ON Semiconductor 的 100 V 功率 MOSFET 采用 5 mm x 6 mm SO-8FL 封装，专门针对紧凑型高能效设计，具有高散热性能。这些器件具有业内一流的 FOM，可实现高能效和低功率耗散。
采用无引线 TO 封装的 PowerTrench® MOSFET：
TO-LL 技术具有极低的器件电阻、极小的基底面，实现了出色 EMI 性能。 目前，这种技术提供了一系列专为汽车应用设计并通过鉴定的电压选择。
ON Semiconductor 的 PowerTrench 屏蔽栅极沟槽式技术与 TO-LL 封装相结合，使其无引线 MOSFET 产品拥有了低 RDS(ON)。此外，出色的硅晶技术和封装设计造就了出色的开关和 EMI 性能。相比其它分立式封装，高电流应用中所需的并联 MOSFET的数量（如果未取消）也会大大减少，从而实现更低的系统总成本。
80 V 汽车级 MOSFET 100 V 汽车级 MOSFET
降低了 QG︰采用 ON Semiconductor 的栅极屏蔽技术，实现了低开关损耗
低 RDS(ON)
出色的开关性能
Power56 (5 mm x 6 mm) 热增强型封装
低 QG，从而减少了开关损耗
低 RDS(ON)
软切换
可选择可润湿侧翼
采用 TO 无引线封装的 PowerTrench® MOSFET
高能效
小型封装
更低的系统成本
NCP163AMX300TBG
NCP163AMX500TBG
NCP163AMX330TBG
NCP163AMX180TBG
NCP163AMX285TBG
NVMFS6B03NLT1G
NVMFS6B03NLT3G
NVMFS6B03NLWFT1G
NVMFS6B03NLWFT3G
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NVMFS6B03NT3G
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NVMFS6B03NWFT3G
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NVMFS6B05NLT3G
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NVMFS6B05NT1G
NVMFS6B05NT3G
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NVMFS6B14NLT3G
NVMFS6B14NLWFT1G
NVMFS6B14NLWFT3G
NVMFS6B14NT1G
NVMFS6B14NT3G
NVMFS6B14NWFT1G
NVMFS6B14NWFT3G
NVMFS6B25NLT1G
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NVMFS6B25NLWFT1G
NVMFS6B25NLWFT3G
NVMFS6B75NLT1G
NVMFS6B75NLT3G
NVMFS6B75NLWFT1G
NVMFS6B75NLWFT3G
NVMFS6B85NLT1G
NVMFS6B85NLT3G
NVMFS6B85NLWFT1G
NVMFS6B85NLWFT3G
