Fairchild飞兆PowerTrench器件FDMC8010 FDMS86200 FCH072N60F原装快速发货

在能源效率标准和最终系统要求的推动之下,电源设计人员需要有助于缩减其应用电源的外形尺寸且不影响功率密度的高能效解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供业界功率密度和低传导损耗,能够满足这些需求。
FDMC8010 MOSFET N-CH 30V 8-PQFN FDMC8010 MOSFET N-CH 30V 8-PQFN MOSFET N 通道,金属氧化物 标准 5833
18000 - FDMC8010
FDMS7650 MOSFET N-CH 30V POWER56 FDMS7650 MOSFET N-CH 30V POWER56 MOSFET N 通道,金属氧化物 标准 6414
198000 - FDMS7650
FDMS7650DC MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 FDMS7650DC MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 MOSFET N 通道,金属氧化物 标准 5775
6000 - FDMS7650DC
FDMC8010ET30 MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN FDMC8010ET30 MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN MOSFET N 通道,金属氧化物 标准 2337
FDMC8010ET30
FDMS7656AS MOSFET N-CH 30V POWER56 FDMS7656AS MOSFET N-CH 30V POWER56 MOSFET N 通道,金属氧化物 标准 2365
FDMS86200 MOSFET N-CH 150V POWER56 FDMS86200 MOSFET N-CH 150V POWER56 MOSFET N 通道,金属氧化物 标准 76706
FDMS86200
FDMS86101 MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56 FDMS86101 MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56 MOSFET N 通道,金属氧化物 标准 10162
FDMS86101
FDMS86101DC MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN FDMS86101DC MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN MOSFET N 通道,金属氧化物 标准 3479
FDMS86101DC
FDMS86101A MOSFET N-CH 100V 13A POWER56 FDMS86101A MOSFET N-CH 100V 13A POWER56 MOSFET N 通道,金属氧化物 标准 2284
FDMS86101A
FDMS86200DC MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56 FDMS86200DC MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56 MOSFET N 通道,金属氧化物 标准 1494
FDMS86200DC
FDP075N15A_F102 MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3 FDP075N15A_F102 MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3 MOSFET N 通道,金属氧化物 标准 2027
FDP075N15A_F102
FCH072N60F MOSFET N-CH 600V 52A TO247 FCH072N60F MOSFET N-CH 600V 52A TO247 MOSFET N 通道,金属氧化物 标准 2116
FCH072N60F
FCH041N60E MOSFET N CH 600V 77A TO-247 FCH041N60E MOSFET N CH 600V 77A TO-247 MOSFET N 通道,金属氧化物 标准 130
450 - FCH041N60E
FCPF400N80ZL1 MOSFET N-CH 800V 11A TO220 FCPF400N80ZL1 MOSFET N-CH 800V 11A TO220 MOSFET N 通道,金属氧化物 标准 827
FCPF400N80ZL1
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FCH072N60F_F085
FCPF400N80Z MOSFET N-CH 800V 11A ZNR FCPF400N80Z MOSFET N-CH 800V 11A ZNR MOSFET N 通道,金属氧化物 标准 692
FCPF400N80Z
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