CMPA0060002F射频放大器 GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 2 Watt
基于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)可在小占位尺寸封装中实现极宽的带宽。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有出色的性能，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的导热性。与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓高电子迁晶体管具有更高的功率密度和更宽的带宽。
CMPA0060002F
CMPA601C025F-TB
CMPA801B025F-TB
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